基本结构与材料

• NMOS：全称

  沟道金属

  型；

• PMOS：全称

  沟道金属

  型。

• 两者同为电压控制型器件，无栅极电流，仅通过栅源电压控制漏源极之间的通断，这一基础特性是所有应用的底层逻辑，也是与三极管的核心区别。

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开启条件（阈值电压）

• NMOS：漏极电位高于源极电位（VDS＞0），电流从漏极（D）流向源极（S）；
• PMOS：漏极电位低于源极电位（VDS＜0），电流从源极（S）流向漏极（D）

符号与标识

• NMOS:

  衬底箭头指向内（指向沟道），表示从P指向N。

• PMOS:

  衬底箭头指向外（从沟道指出），表示从N指向P。

  有时栅极输入端会画一个小圆圈表示低电平有效。

主要特性对比

• NMOS:

  导通电阻较小，开关速度快，在相同尺寸下面积更小。

  在数字电路中常用作“下拉”或“地”开关。

• PMOS:

  导通电阻较大，噪声容限较高。

  在数字电路中常用作“上拉”或“电源”开关。

CMOS互补关系

• 在实际电路中，NMOS和PMOS常成对出现构成CMOS。

  利用两者开启条件相反的特性，实现一个导通时另一个关闭，从而显著降低静态功耗。