2.1

上篇文章我们简述了当前主流的存储器技术现在我们来讲讲各大MCU大厂的技术选择

瑞萨日前宣布公司已基于STT-MRAM的电路技术开发出具有快速读写能力的测试芯片。

该MCU

测试芯片采用

每个MTJ包含两个铁磁层和一个隧道势垒层。

其中一个铁磁层(Fixed

Layer--蓝色)具有固定的磁性方向而另一个铁磁层(Free

Layer--绿色)可以通过外部电磁场或自旋传递转矩改变其磁性方向。

如果两个铁磁层具有不同的方向则MTJ电阻高表明“逻辑1”状态。

如果两层具有相同的方向则MTJ电阻为低表示“逻辑0”状态。

STT-MRAM通过将自旋极化电流直接穿过MTJ结构来改变自由层的磁方向意味着使状态反转的阈值电流将随着MTJ的尺寸变小而减小。

2.2

FD-SOI技术平台。

所谓PCM就是相变材料在焦耳热作用下在结晶体态和非晶态下转换从而呈现不同阻态。

(GST)

合金制造而成且在制造过程中利用了材料可在非晶态和结晶态之间进行快速热控制变化的物理特性分别对应逻辑0和逻辑1相对应。

具体来讲可通过非晶态逻辑0的高电阻和结晶态逻辑1的低电阻进行电气区分。

PCM支持在低电压下进行读写操作并且具备单比特位可变更性因此相较于eFlash更有优势。

意法半导体在存储单元和GST合金上的专利布局让其在汽车越来越多的OTA场景中抢占了先机如下图

2.3

据英飞凌官网发布TC4xx的NVM采用其与台积电联合研发的28nm

RRAM也称ReRAM作为结构最简单的存储技术其结构看上去像一个三明治绝缘介质层阻变层被夹在两层金属之间形成由上、下电极和阻变层构成金属-介质层-金属metal-insulator-metal简称MIM三层结构。

阻变原理是基于器件阻变层中导电通路一般称之为conductive

filament,

导电细丝实现的即通过在上、下电极施加不同的脉冲电压激励使介质层发生阻变产生物理性变化。

导电细丝会在阻变层中呈现导通或断开两种状态非易失性的低阻态Low

Resistance

可以看到eFlash制程工艺对MCU的架构和产品迭代影响是巨大的。

而国内MCU厂商要想实现弯道超车设计是一方面生产、工艺则是重中之重。

就好像我想在空中修一栋房子想法是好的前提是生产建造技术要能够支撑我的想法。

兵马未动粮草先行。

而针对MCU的国产替代我理解是设计未动工艺先行。