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96SEO 2026-02-19 19:30 0
处理器直接从地址0开始读取数据因为支持XIP所以代码可以直接在NOR
Flash存储的前4Kb数据自动拷贝到片内SRAM处理器再从SRAM的地址0开始读取数据
11NOR可以随机读取存储区内的数据NAND只能按块读取因为NAND
5使用繁琐不同厂商存取方式是不同的如果使用需要先写入驱动然后读写
1986发明了NAND。
但是由于目前主流的闪存是NAND所以笔者并未十分关注NOR。
下面我们在确认NOR和NAND工作差异的同时再比较二者的市场规模。
和NAND存储器的区别如下图4所示。
下图4使用的术语解说如下所示
由于NOR型的位线和源线都与各自的存储单元相连因此可以读取一比特Bit单位的数据。
此外虽然可以随机进行高速读取但写入速度较慢。
同时由于各存储单元都需要源线因此难以实现较高的集成度。
另一方面就NAND而言位线和源线与多个存储单元相连接所以多个存储单元可以同时写入、擦除数据且速度较快但是无法进行一比特单位的读取。
此外由于NOR不需要存储单元的源线因此易于实现高集成化。
和NAND具有如上所述的优势和劣势因此如上图2所示NOR用于存储程序、NAND用于存储大容量的数据。
SLC1bit单元--MLC2bit单元--TLC3bit单元--QLC4bit单元
A擦写次数从短到长--判定标准P/E周期越高可擦写次数越多擦写次数多意味着耐久性高因为擦除和写入的一个单元的时间就是P/E周期
SLC单层式存储可擦写次数高意味着耐久性强价格高256Gbit价格
MLC可擦写次数略低于SLC也就是耐久性低于SLC价格相比较SLC更为便宜256Gbit价格
TLC可擦写次数低于MLC也就是耐久性低于MLC价格相比较MLC更为便宜256Gbit价格
QLC可擦写次数低于TLC也就是耐久性最低价格相比较TLC更为便宜
TLC工业、消费业特别是消费级领域均衡且性价比最高的方案当前消费级大容量SSD采用的就是TLC通过京东SSD的介绍信息能查找到数据如下图
参考链接1【存储干货】一文读懂NAND闪存SLC、MLC、TLC、QLC与3D
参考链接2涨知识NorFlash与NandFlash有什么区别
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